젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 전 세계 개발자들의 이목이 쏠린 무대 위에서 삼성전자를 향해 각별한 감사를 표했다. 그동안 베일에 싸여있던 엔비디아의 차세대 AI 칩 생산 파트너로 삼성 파운드리가 낙점됐음을 공식화한 순간이었다.

 

16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP센터에서 열린 'GTC 2026' 기조연설에서 젠슨 황 CEO는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 '베라 루빈(Vera Rubin)'을 소개하며 삼성과의 협력 사실을 깜짝 공개했다. 그는 "삼성이 우리를 위해 '그록(Groq)3' 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다"며 "이미 생산 단계에 진입했고, 최대한 빠르게 수량을 늘리고 있다"고 밝혔다.

 

황 CEO가 언급한 '그록3 LPU'는 엔비디아의 차세대 GPU인 '루빈'과 짝을 이뤄 추론 성능과 전력 효율성을 극대화하는 핵심 부품이다. 황 CEO는 "올해 하반기, 아마도 3분기쯤이면 출하가 시작될 것"이라고 덧붙여, 삼성 파운드리 공정이 안정적인 수율 궤도에 올랐음을 시사했다. 이로써 삼성전자는 메모리 공급을 넘어 시스템 반도체 위탁생산(파운드리) 분야에서도 엔비디아와의 동맹을 공고히 하게 됐다.

 

삼성전자는 이번 GTC 2026 현장에 대규모 전시 부스를 마련하고 '메모리 초격차' 기술을 과시했다. 가장 눈길을 끈 것은 차세대 고대역폭메모리인 'HBM4E'의 실물 칩과 적층용 '코어 다이' 웨이퍼였다. 삼성전자가 HBM4E 실물을 공개한 것은 이번이 처음이다.

 

2026년 하반기 샘플 출하를 목표로 하는 HBM4E는 핀당 16Gbps의 전송 속도와 초당 4.0TB(테라바이트)의 대역폭을 자랑한다. 이는 지난 2월 양산을 시작한 6세대 HBM4(13Gbps, 3.3TB/s)를 훌쩍 뛰어넘는 성능이다. 삼성전자는 10나노급 6세대(1c) D램 공정 기술과 파운드리의 4나노 공정 설계 역량을 결합해 HBM 시장의 주도권을 쥐겠다는 전략이다. 전시장 전면에는 엔비디아의 '베라 루빈' 플랫폼에 탑재되는 HBM4, 서버용 저전력 메모리 모듈(SOCAMM2), 기업용 SSD 'PM1763' 등을 배치해 엔비디아 맞춤형 토털 솔루션 기업임을 강조했다.

 

경쟁자인 SK하이닉스 역시 물러서지 않았다. SK하이닉스는 행사장 내에 '엔비디아 협업 존'을 별도로 마련해 굳건한 파트너십을 과시했다. 이곳에서는 최신 6세대 HBM4와 HBM3E, SOCAMM2 등의 실물이 전시됐다. 특히 엔비디아와 공동 개발한 수랭식(Water-cooled) 기업용 SSD와 자사의 모바일용 D램 'LPDDR5X'가 탑재된 엔비디아의 슈퍼컴퓨터 'DGX 스파크'를 공개하며 기술적 완성도를 뽐냈다.

 

업계 관계자는 "젠슨 황의 발언으로 삼성전자가 파운드리와 메모리 양쪽에서 엔비디아의 핵심 파트너임이 입증됐다"며 "AI 반도체 시장을 둘러싼 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 경쟁이 GTC 2026을 기점으로 더욱 치열해질 것"이라고 전망했다.